Eu morri de novo, e a culpa não é minha. Dessa vez, o culpado é o meu smartphone, que travou ao abrir o app de banco, o mapa e o jogo ao mesmo tempo. Mas a Samsung Electronics, a maior fabricante mundial de chips de memória, apresentou nesta terça-feira (4) uma nova geração de tecnologia que promete dar um respiro para quem sofre com armazenamento cheio e desempenho capenga. O anúncio aconteceu na conferência Future of Memory and Storage (FMS), em Santa Clara, na Califórnia, e o protagonista é o protótipo V10 Bonding V-NAND, ou BV-NAND, com mais de 400 camadas e uma nova arquitetura de colagem de wafers para aumentar a densidade de armazenamento e impulsionar o desempenho.
A memória flash NAND é aquela que guarda fotos, vídeos e aplicativos nos dispositivos. Com a expansão das cargas de trabalho de IA, que vão além do treinamento de grandes modelos de linguagem e incluem a geração de respostas a consultas de usuários, a demanda por memória de alta capacidade aumentou. A Samsung afirmou que o BV-NAND aumenta a densidade de memória em cerca de 58% em relação à tecnologia V9 NAND anterior, ao mesmo tempo que melhora leitura, gravação e entrada/saída para atender a sistemas de IA que exigem armazenamento maior e mais eficiente em energia.
O que o BV-NAND significa para o consumidor
Na prática, isso pode significar smartphones com mais espaço para apps e fotos, e servidores de IA que respondem mais rápido. Mas calma, não vai ser amanhã. A Samsung também apresentou modelos conceituais da primeira arquitetura zHBM e zNAND-O do setor, delineando a visão para a memória 3D de próxima geração, que empilha células verticalmente para armazenar mais dados.
A virada da zHBM: memória empilhada sobre a IA
Ao contrário da memória de alta largura de banda convencional, que fica ao lado dos processadores de IA, a zHBM empilha a memória verticalmente acima dos aceleradores de IA. Isso reduz a distância que os dados percorrem, aumentando a largura de banda e melhorando a eficiência energética. A empresa afirmou que a tecnologia de colagem de wafers pode permitir densidade de memória mais de 10 vezes maior que a HBM5 convencional, triplicando a eficiência energética e reduzindo a resistência térmica em mais da metade.
Preocupações e demanda por IA
Alguns investidores temem a demanda de longo prazo por chips de memória, principalmente quando a demanda por smartphones na China diminuir. Mas analistas apontam para uma demanda excepcionalmente forte por IA. A Samsung divulgou na semana passada que contratos de longo prazo com clientes podem representar de 60% a 70% das vendas de memória. Analistas do Citi afirmaram em nota no mês passado que os estoques em ambas as cadeias de suprimentos de DRAM e NAND permaneceram bem abaixo dos níveis históricos, apesar das preocupações com a desaceleração do mercado consumidor.
O que esperar
Para o gamer brasileiro, a promessa é de dispositivos mais rápidos e com mais armazenamento, mas o preço no Brasil costuma doer. Ainda assim, a tecnologia aponta para um futuro onde a IA roda melhor em qualquer lugar. Enquanto isso, eu sigo aqui, com o celular travado, aceitando a derrota com graça. inteligencias artificiais e o futuro dos games como a memoria influencia o desempenho do pc
Perguntas Frequentes
O que é a memória BV-NAND anunciada pela Samsung?
É um protótipo de chip de memória com mais de 400 camadas, apresentado na conferência FMS, que aumenta a densidade de armazenamento em cerca de 58% em relação ao V9 NAND.
Como o BV-NAND melhora o desempenho de IA?
Ele melhora a leitura, gravação e entrada/saída de dados, atendendo à demanda de sistemas de IA que precisam de armazenamento maior e mais eficiente em energia.
O que é a arquitetura zHBM?
É um conceito da Samsung que empilha memória verticalmente acima dos aceleradores de IA, reduzindo a distância dos dados e aumentando a largura de banda.
Quando o BV-NAND estará disponível?
A Samsung não divulgou data de lançamento. O anúncio foi de um protótipo, então a chegada ao mercado pode levar anos.